本文摘要：10月17日，据科技部消息，由无锡中微晶园电子有限公司联合分担的国家重点研发计划“根本性科学仪器设备研发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的希望，突破了低晃动、大光敏面硅单光子观测芯片设计、界面电场调控的离子注入和水解层制取、低噪声芯片PCB等关键技术，研发出有硅单光子探测器样机。

10月17日，据科技部消息，由无锡中微晶园电子有限公司联合分担的国家重点研发计划“根本性科学仪器设备研发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的希望，突破了低晃动、大光敏面硅单光子观测芯片设计、界面电场调控的离子注入和水解层制取、低噪声芯片PCB等关键技术，研发出有硅单光子探测器样机。近日，该项目成功通过了科技部高技术中心的组织的中期检查。

无锡中微晶园电子有限公司，于2004年3月正式成立，是一家专业专门从事集成电路园片加工的高新技术企业。公司经营一条五英寸标准CMOS工艺加工线，可以为客户获取0．5μm、0．6μm、0．8μm、1．0μm、1．2μm、1．5μm、2μm、3μm标准CMOS等多种工艺技术的加工服务，是一条多种工艺、多代技术相容的集成电路加工线，通过了ISO9001－2000质量体系证书，公司的主要产品应用于手机、智能手表、智能家居等领域。

硅单光子探测器具备超强高灵敏度，是300－1100nm波段超高灵敏观测不能替代的关键芯片，且器件性能平稳可信、不易构成面阵，是构建远距离精密测量、激光雷达等根本性科学仪器的关键核心部件之一。据透漏，该项目下一步将减缓产品化研发，提升产品技术成熟度，减缓产品应用于样板及推展。

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